近年来，随着光电产业的快速发展，高集成半导体晶圆需求不断增长、硅、碳化硅、蓝宝石、玻璃等材料被广泛应用于半导体晶圆中。随着晶圆集成度大幅提高，晶圆趋向轻薄化，传统的加工方式不再适用，激光切割逐渐引入半导体晶圆切割中。
激光属于无接触式加工，不会对晶圆产生机械应力的作用，对晶圆损伤较小。由于激光在聚焦的优点，聚焦点可小到亚微米数量级，从而对晶圆的微处理更具优越性，可以进行小部件的加工；即使在不高的脉冲能量水平下，也能得到较高的能量密度，有效地进行材料加工。大多数材料吸收激光直接将材料汽化，打出连续的盲孔，形成沟道。从而实现切割的目的，因为光板较小，最低限度的碳化影响。
半导体晶圆的激光隐形切割技术是一种全新的激光切割工艺，具有切割速度快、切割不产生粉尘、无耗损、所需切割道小、完全干制程等诸多优势。隐形切割主要原理是将短脉冲激光光束透过材料表面聚焦在材料中间，然后通过外部施加压力使芯片分开。
晶圆切割是先进技术的代表，标志着一个国家的先进水平，想要不出现被卡脖子的状况，唯有发展自己的技术，才能跳出这个泥潭。
